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        產品應用

        MOCVD原理:

        MOCVD是以III組、II族元素的有機化合物和V、Ⅵ族元素的氫化物等作為晶體生長源材料,以熱分解反應方式在襯底上進行氣相外延,生長各種Ⅲ-V族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半導體以及它們的多元固溶體的薄層單晶材料。通常MOCVD系統中的晶體生長都是在常壓或低壓(10-100Torr)下通H2的冷壁石英(不銹鋼)反應室中進行,襯底溫度為500-1200℃,用射頻感應加熱石墨基座(襯底基片在石墨基座上方),H2通過溫度可控的液體源鼓泡攜帶金屬有機物到生長區。


        MOCVD優點:

        - 適用范圍廣泛,幾乎可以生長所有化合物及合金半導體;

        - 非常適合于生長各種異質結構材料;

        - 可以生長超薄外延層,并能獲得很陡的界面過渡;

        - 生長易于控制;

        - 可以生長純度很高的材料;

        - 外延層大面積均勻性良好;

        - 可以進行大規模生產。

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